Samsung приступает к серийному выпуску 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит
Оперативная память Samsung Новостьmaxper 14.03.2014 17:09Просмотры всего 1026, сегодня 1Искать объявления с таким продуктомПодать аналогичное объявлениеПереход к нормам 20 нм при производстве DDR3 DRAM позволяет более чем на 30% увеличить объемы выпуска по сравнению с нормами 25 нм и более чем вдвое по сравнению с нормами 30-нанометрового класса. Модули памяти DDR3, в которых используются новые чипы, по энергопотреблению выигрывают до 25% у модулей того же объема, в которых используются чипы предыдущего поколения, выпускаемые по нормам 25 нм.
Samsung🌐 Ссылка в интернет DDR3